Исследователи из Университета штата Орегон (США) предложили новую технологию изготовления резистивной памяти (RRAM) на основе мемристоров.

Цепочка мемристоров (фото HP Labs).

Мемристоры, напомним, считаются четвёртым пассивным элементом микросхем после резистора, конденсатора и катушки индуктивности. Ключевая особенность элемента этого типа — гистерезис: реакция на воздействие зависит от сил, действовавших ранее, то есть состояние системы определяется её собственной историей. Ток, проходящий через мемристор, приводит к изменению его атомной структуры, в результате сопротивление элемента меняется в тысячу и более раз. Это позволяет использовать элемент в качестве ячейки памяти.

Американские учёные подтвердили, что оксид цинка и олова может применяться для формирования прозрачных микросхем памяти на основе мемристоров. Такие изделия будут обладать высоким быстродействием и небольшим энергопотреблением. Данные могут храниться при отсутствии питания.

Предполагается, что прозрачные микросхемы памяти приведут к появлению новых электронных устройств — к примеру, информационных дисплеев, интегрированных в лобовое стекло автомобиля, интерактивных столов, рекламных стендов и пр.